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當前位置:首頁產品中心半導體連續激光器VCSEL激光器P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器

760nm單模垂直腔面發射激光器

產品簡介

760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護。

產品型號:P760/01_2
更新時間:2024-12-04
廠商性質:經銷商
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760nm單模垂直腔面發射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優點,2nm調諧范圍,專為可調諧半導體激光吸收光譜(TDLAS)應用而設計,內置防靜電(ESD)保護。

技術參數


最大額定值

2.5 mA激光正向電流

10 mA 反向電流


參數

符號

單位

最小值

典型值

最大值

條件

發射波長

λR

nm

759

760

761

T = 20°C, ITEC = 0, POP = 0.3 mW

閾值電流

ITH

mA


0.5


T = 20°C

輸出功率

Popt

mW

0.3



T = 25°C

激光電流

IOP

mA



2.0

2.0 Popt = 0.3 mW

激光電壓

UOP

V


2.0


Popt = 0.3 mW

斜率效率

ηS

W/A


0.3


T = 20°C

差分串聯電阻

RS

Ω


250


Popt = 0.3 mW

3db調制帶寬

ν3dB

GHz

0.1



Popt = 0.3 mW (ESD保護二極管)

波長調諧電流


nm/mA


0.6



波長超溫調諧


nm/K


0.06



熱阻(VCSEL芯片)

Rthermal

K/mW

3.0


5


邊模抑制


dB

20




光束發散度

θ

°

10


25

Popt = 0.3 mW, 全寬 1/e2

集成TEC和熱敏電阻集成TEC和熱敏電阻

TEC電流


mA



500

NTC熱敏電阻


10

10

11

T = 25°C

NTC溫度依賴性





10/exp[3892·(1/298K-1/Top)]


俯視圖


22.png


尺寸:mm

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QQ五筆截圖未命名.png



QQ五筆截圖未命名.png

QQ五筆截圖未命名2.png



測試表

老化時間200h@80°C, 2mA


QQ五筆截圖未命名3.png



123.png


波長 nm


637705201012097201906.jpg









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