硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品

EOT 的&amp;amp;amp;amp;amp;lt;10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應將光功率轉(zhuǎn)換為電流。

產(chǎn)品型號：

更新時間：2024-12-06

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

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品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進口
應用領(lǐng)域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT

筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品

EOT 的硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT

帶寬(Hz)

>2 GHz

技術(shù)參數(shù)

特征:

占地面積小

內(nèi)部電壓偏置

直流至 2 GHz

選項

可提供外墻插入式電源

提供光纖耦合或自由空間選項

探測器材質(zhì)

應用

監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出

監(jiān)控鎖模激光器的輸出

規(guī)格
型號	120-10011-0001 (ET-2030)	120-10028-0001 (ET-2040)	120-10133-0001 (ET-2060)	120-10134-0001 (ET-2070)	120-10034-0001 (ET-3000)	120-10050-0001 (ET-3010)
探測器材料	Silicon	Silicon	Silicon	Silicon	InGaAs	InGaAs
Rise Time/Fall Time 上升/下降時間	<300 ps/<300 ps	<30 ns/<30 ns	<320 ps/<320 ps	3 ns/3 ns	<175 ps/<175 ps	<175 ps/<175 ps
響應度	0.47 A/W at 830 nm	0.6 A/W at 830 nm	0.47 A/W at 830 nm	0.56 A/W at 830 nm	0.9 A/W at 1300 nm	0.9 A/W at 1300 nm
電源	9 VDC	24 VDC	9 VDC	24 VDC	6 VDC	6 VDC
帶寬	>1.2 GHz	>25 MHz	>1.1 GHz	>118 MHz	>2 GHz	>2 GHz
Active Area Diameter 有效面積直徑	0.4 mm	4.57 mm	0.4 mm	2.55 mm	100 µm	100 µm
Dark Current 暗電流	<0.1 nA	<10 nA	<0.1 nA	<10 nA	<2.0 nA	<3.0 nA
Acceptance Angle (1/2 angle)接受角（1/2角）	10?	60?	N/Aa	50?	20?	N/Aa
Noise Equivalent Power 噪聲等效功率	<0.01 pW/√ Hz	<0.09 pW/√ Hz	<0.01 pW/√ Hz	<0.10 pW/√ Hz	<0.03 pW/√ Hz	<0.03 pW/√ Hz
Maximum Linear Rating 最大線性額定值	CW current: 3 mA Pulse current: 3 mA	CW current: 2 mA Optical input: 3 mW	CW current: 3 mA Optical input: 3 mA	CW current: 2.5 mA Pulse current: 15 mA	CW current: 5 mA	CW current: 5 mA
Mounting (Tapped Holes) 安裝（螺紋孔)	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4	8-32 or M4
Output Connector 輸出連接器	BNC	BNC	BNC	BNC	BNC	BNC